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J-GLOBAL ID：200903075453780070

レジスト組成物

Inventor：
甲斐 敏之

About 甲斐 敏之

, 
西山 覚

About 西山 覚


Applicant, Patent owner：
JSR株式会社

About JSR株式会社


Agent (1)： 和気 操
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002282756
Publication number (International publication number)：2004117959
Application date： Sep. 27, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：
【課題】電子線、X線による微細パターン形成に好適なレジスト組成物を提供する。【解決手段】下記式(1)の構造を有する酸発生剤と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性を増加させる官能基を有する樹脂とを含有するレジスト組成物であって、該レジスト組成物のパターン形成時における解像度が90nm以下である。【化1】上記式(1)において、Rは、フッ素含有率が50重量%以下である1価の有機基、ニトロ基、シアノ基または水素原子を示し、Z1およびZ2は相互に独立にフッ素原子または炭素数1〜10の直鎖状もしくは分岐状のパーフルオロアルキル基を示す。【選択図】 無
Claim (excerpt)：
下記式(1)の構造を有する酸発生剤と、酸解離性基を有するアルカリ不溶またはアルカリ難溶性の樹脂であり前記酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂とを含有するレジスト組成物であって、該レジスト組成物のパターン形成時における解像度が90nm以下であることを特徴とするレジスト組成物。
IPC (2)：
G03F7/004 ,  H01L21/027
FI (2)：
G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R
F-Term (15)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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