窒化物系III-V族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体発光素子の製造方法ならびに半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001273245
Publication number (International publication number)：2003081697
Application date： Sep. 10, 2001
Publication date： Mar. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】窒化物系III-V族化合物半導体層をこれと異なる物質からなる基板上に成長させる場合に、基板の反りを抑える。【解決手段】基板1の一主面上に第1の窒化物系III-V族化合物半導体層3を成長させ、これをパターニングすることによりストライプ形状の種結晶を形成し、この際、第1の領域では種結晶が第1の間隔で周期的に形成され、第2の領域では種結晶が第1の間隔より大きい第2の間隔で形成されるようにする。これらの種結晶を用いて基板1上に第2の窒化物系III-V族化合物半導体層4を横方向成長させ、その上に素子構造を形成する第3の窒化物系III-V族化合物半導体層Lを成長させる。

Claim (excerpt)：

基板の一主面上に成長された第1の窒化物系III-V族化合物半導体層をパターニングすることにより形成されたストライプ形状の種結晶を用いて上記基板上に第2の窒化物系III-V族化合物半導体層を横方向成長させた窒化物系III-V族化合物半導体基板において、互いに隣接する少なくとも一対の上記種結晶から横方向成長した上記第2の窒化物系III-V族化合物半導体層が会合していない領域を有することを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体基板。

IPC (3)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01S 5/343 610

FI (3)：

C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01S 5/343 610

F-Term (50)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EE05 , 4G077EF03 , 4G077HA02 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 5F045AA04 , 5F045AA18 , 5F045AA19 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB32 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AE29 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF14 , 5F045AF20 , 5F045BB11 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045HA12 , 5F073AA13 , 5F073AA46 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073CB08 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073DA21 , 5F073DA32 , 5F073DA33 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-218122 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭63-319294

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