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J-GLOBAL ID：200903075489498486
半導体装置およびその作製方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993346710
Publication number (International publication number)：1995183535
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 画素領域と周辺回路領域とを同一基板上に形成したアクティブマトリクス型の液晶表示装置を提供する。【構成】 同一基板上に周辺回路領域と画素領域とを形成したアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、周辺回路領域と画素領域のTFTを基板に平行な方向に結晶成長した結晶性珪素膜を用いて構成する。そして、周辺回路領域を構成する結晶性珪素膜はレーザー光を照射することによって結晶性を特に高めた構成とする。また結晶性珪素膜はニッケル等の結晶化を助長する触媒元素の導入によって550°C程度の温度で結晶化されたものを用いる。
Claim (excerpt)：
基板に平行な方向に結晶成長が行なわれた結晶性珪素膜を用いたTFTがアクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素領域と周辺回路領域とに配置されており、前記周辺回路領域に配置されたTFTを構成する結晶性珪素膜は、レーザー光または強光を照射することによりその結晶性が高められていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 27/12
H01L 29/78 311 Y
, H01L 29/78 311 A
