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J-GLOBAL ID：200903075499390063

炭化けい素半導体装置の製造方法

Inventor： 上野 勝典
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993222694
Publication number (International publication number)：1994314791
Application date： Sep. 08, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】イオン注入によるドーピングが難しく、ドライエッチングによる加工も望ましくていSiC素体を用いて半導体素子を形成する。【構成】SiC素体表面に窒化シリコン膜によりマスクを形成し、選択的に熱酸化すれば、表面層の酸化膜による分離が可能である。また、生じた熱酸化膜を除去すれば溝が形成でき、たて形MOSFETのトレンチとして使用でき、あるいはガードリングのイオン注入を用いないでの形成も可能になる。

Claim (excerpt)：

炭化けい素半導体素体の第一導電形層の上に積層された第二導電形層の表面上に耐熱性被膜を形成する工程と、その耐熱性被膜の所定領域に開口部を明ける工程と、その開口部を通して半導体素体を第一導電形層に達するまで熱酸化する工程を含むことを特徴とする炭化けい素半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 29/78 321 B ,  H01L 29/78 321 V