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J-GLOBAL ID:200903075510744654

ゲルマニウム系高分子材料の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 掛樋 悠路 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992110521
Publication number (International publication number):1993301966
Application date: Apr. 28, 1992
Publication date: Nov. 16, 1993
Summary:
【要約】【目的】耐熱性に優れたゲルマニウム系高分子材料を安全に工業的規模で製造し得る方法を提供することを主な目的とする。【構成】ジハロゲルマンとトリハロゲルマン、トリハロゲルマン単独、トリハロゲルマンとテトラハロゲルマン、またはジハロゲルマンとトリハロゲルマンとテトラハロゲルマンを特定条件下に電極反応に供して、ゲルマニウム系高分子材料を形成させる。
Claim (excerpt):
ゲルマニウム系高分子材料の製造方法であって、一般式【化1】(式中、R1 およびR2 は、同一或いは相異なって水素原子、アルキル基、アリ-ル基、アルコキシ基、アミノ基またはシリル基を表し、X1 およびX2 は、同一或いは相異なってハロゲン原子を表す。)で示されるジハロゲルマンと一般式【化2】(式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリ-ル基、アルコキシ基、アミノ基またはシリル基を表わし、X1 、X2 およびX3 は、同一或いは2個以上が相異なってハロゲン原子を表す。)で示されるトリハロゲルマンとを、支持電解質として過塩素酸塩を使用し、溶媒として非プロトン性溶媒を使用し、Mg、Cu叉はAlを一方の極とし、これらと同種または異種の導電性材料を他方の極として、電極の極性を切り替えながら電極反応に供することにより、一般式【化3】(式中、R1 およびR2 は、出発原料に応じて上記に同じ。)で示される構造単位と一般式【化4】(式中、Rは、出発原料に応じて上記に同じ。)で示される構造単位とからなるゲルマニウム系高分子材料を製造する方法。

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