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J-GLOBAL ID：200903075519788689

圧電体、強誘電体薄膜素子及びその製造方法

Inventor： 宮下 悟
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992258399
Publication number (International publication number)：1994112543
Application date： Sep. 28, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【構成】 基板上に形成される強誘電体薄膜が、大きな結晶粒からなる第一強誘電体層と、緻密な構造の第二強誘電体層とからなり、第二強誘電体層上に電極層が形成されていることを特徴とする圧電体、強誘電体薄膜素子。基板上に水熱法により大きな結晶粒からなる第一強誘電体層を形成し、次にゾルゲル法により緻密な構造の第二強誘電体層を形成することで製造できる。【効果】 厚膜化が容易で信頼性が高く、高い圧電ひずみ定数を持つ圧電素子を歩留まりよく提供できた。容易なプロセスで作製することができるため、低コストで微細化も可能である。

Claim (excerpt)：

基板上に形成される強誘電体薄膜が、大きな結晶粒からなる第一強誘電体層と、緻密な構造の第二強誘電体層とからなり、第二強誘電体層上に電極層が形成されていることを特徴とする圧電体、強誘電体薄膜素子。

IPC (4)：

H01L 41/08 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  C04B 41/85

FI (2)：

H01L 41/08 Z ,  B41J 3/04 103 A