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J-GLOBAL ID：200903075526258482
半導体レーザ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991198876
Publication number (International publication number)：1993021902
Application date： Jul. 11, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：
【要約】【目的】 波長900nm以上のレーザ光を発振し、且つ、高次モードが抑制されて基本モードで動作するる半導体レーザ装置を得る。【構成】 n型GaAs電流阻止層にシリコンを高濃度にドーピングし、該層のn型キャリア濃度を6×1018cm-3以上とし、レーザ発振時に活性層から上クラッド層を介して上記n型GaAs電流阻止層に届く900nm以上の波長を有する光を上記n型GaAs電流阻止層で吸収する。
Claim (excerpt)：
n型GaAs基板上にn型下クラッド層,波長が900nm以上の光を発振する活性層,p型上クラッド層,p型オーミックコンタクト層を順次形成し、上記p型上クラッド層とp型オーミックコンタクト層とをリッジ状に形成し、該リッジ状に形成されたp型上クラッド層とp型オーミックコンタクト層の側部にn型電流阻止層を形成した半導体レーザ装置において、上記n型電流阻止層はシリコンドープによる6×1018cm-3以上のn型キャリア濃度を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
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