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J-GLOBAL ID:200903075530681241
半導体基板を研磨のために予備整形する方法とその構造
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大貫 進介 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996165246
Publication number (International publication number):1997017757
Application date: Jun. 04, 1996
Publication date: Jan. 17, 1997
Summary:
【要約】【課題】 より強化された平面度を有する基板を作成する方法および構造を提供する。【解決手段】 研磨に備えて半導体ウェーハ20の主表面21,22を予備整形する方法には、主表面21,22が凹面形状を有するように整形する段階が含まれる。好適な方法においては、凹面形状を形成するためにエッチング工程が用いられる。この凹面形状は、研磨後にきわめて平坦になる開始ウェーハとなる。
Claim (excerpt):
研磨のために半導体基板を予備整形する方法であって:第1主表面(21)と、前記第1主表面の反対側に位置する第2主表面(22)とを有する半導体基板(20)を設ける段階;および前記第1主表面(21)と前記第2主表面(22)の1つが、半導体基板の研磨前に凹面形状を有するように前記半導体基板を整形する段階;によって構成されることを特徴とする方法。
IPC (2):
H01L 21/304 321
, H01L 21/306
FI (2):
H01L 21/304 321 B
, H01L 21/306 B
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