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J-GLOBAL ID：200903075532285459

半導体光電素子に対するITO膜形成方法

Inventor： 加藤 俊宏 ,  諏澤 寛源
Applicant, Patent owner： 大同特殊鋼株式会社
Agent (1)： 池田 治幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992355541
Publication number (International publication number)：1994188455
Application date： Dec. 18, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体光電素子の電極部に透明で導電率の高いITO膜を設けた場合に問題となるコンタクト抵抗を低減する。【構成】 面発光型発光ダイオード10のキャップ層22上にスパッタリングによってITO膜24を形成した後、800°C程度に5分間保持してアニールする。

Claim (excerpt)：

光と電気とを変換する半導体光電素子に対して、In2 O3 -SnO2 から成る透明で導電率の高いITO膜を形成する方法であって、前記半導体光電素子に前記ITO膜を成膜した後、所定の温度まで加熱してアニールすることを特徴とする半導体光電素子に対するITO膜形成方法。

IPC (5)：

H01L 33/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/58 ,  H01L 31/04