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J-GLOBAL ID：200903075540548051

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 小笠原 誠 ,  佐藤 和重 ,  浅野 勇 ,  朝倉 久雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995167338
Publication number (International publication number)：1997017965
Application date： Jul. 03, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】 不揮発性メモリ機能を有する集積度の高いRAMを実現する。【構成】 メモリセルMCは、駆動用MISFETQd1,Qd2 と負荷用MISFETQp1,Qp2 からなるフリップフロップ回路、転送用MISFETQt1,Qt2 、およびフリップフロップ回路の記憶ノードN1,N2 にそれぞれ接続された強誘電体コンデンサCf1,Cf2 によって構成されている。メモリセルの電源が切れたときは、記憶ノードN1,N2 にそれぞれ蓄積されている情報をもとに、電源電圧VL およびプレート電圧VP をそれぞれ制御することによって、強誘電体コンデンサCf1,Cf2 の分極方向が設定されて、記憶ノードN1,N2 に蓄積されていた情報が強誘電体コンデンサCf1,Cf2 に読み出され、保持される。

Claim (excerpt)：

不揮発性メモリ機能を有する半導体集積回路装置であって、フリップフロップ回路および前記フリップフロップ回路が有する2個の記憶ノードのそれぞれに接続された2個の強誘電体コンデンサによって構成されるメモリセルを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (10)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 371 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 371 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 29/78 301 M ,  H01L 29/78 371