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J-GLOBAL ID：200903075544186960

半導体デバイス製造方法及びシステム

Inventor： 反町 三男
Applicant, Patent owner： 株式会社東京精密
Agent (5)： 石田 敬 ,  鶴田 準一 ,  土屋 繁 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003066910
Publication number (International publication number)：2004281453
Application date： Mar. 12, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】薄片化半導体デバイスの製造工程において、より適切にプローブテストを行える方法及びシステムの実現。【解決手段】半導体ウエハ100上に複数の半導体デバイスを形成する半導体デバイスの形成工程11と、記半導体ウエハを薄片化する薄片化工程12と、薄片化した半導体ウエハを分離するダイシング工程14と、分離された半導体デバイスを組み立てる組立工程15とを備える半導体デバイス製造方法において、薄片化工程12後のダイシング工程14の前に、薄片化した半導体ウエハの電気的な検査を行うプローブテスト13を行う。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ上に複数の半導体デバイスを形成する半導体デバイスの形成工程と、 前記半導体ウエハを薄片化する薄片化工程と、 薄片化した前記半導体ウエハを個別の半導体デバイスに分離するための処理を行うダイシング工程と、 分離された半導体デバイスを組み立てる組立工程とを備える半導体デバイス製造方法において、 前記薄片化工程後の前記ダイシング工程の前に、薄片化した前記半導体ウエハの前記複数の半導体デバイスにプローブを接触させて電気的な検査を行うプローブテストを行うことを特徴とする半導体デバイス製造方法。

IPC (2)：

H01L21/301 ,  H01L21/68

FI (4)：

H01L21/78 Z ,  H01L21/68 N ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 M

F-Term (7)：

5F031CA02 ,  5F031DA15 ,  5F031HA78 ,  5F031MA22 ,  5F031MA33 ,  5F031MA34 ,  5F031PA20