分子センシング装置及びラマン散乱増強用チップ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005022698
Publication number (International publication number)：2006208271
Application date： Jan. 31, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：

【課題】プラズモンによるラマン散乱増強を利用したラマン分光分析を行う分子センシング装置(分子センサー)において、センサーの高感度化、安定化、及び小型化を実現するためのラマン散乱増強用チップを提供する。【解決手段】貴金属酸化物薄膜を用いた、ラマン散乱増強を利用した分子センシング装置において、貴金属酸化物薄膜31の上に誘電体材料薄膜又は半導体材料薄膜32を形成することによって、プラズモンによる電場増強をさらに強くし、センサーの高感度化を得るとともに、小型化を実現する。また、上記手法により、貴金属酸化物と検体との化学反応を防ぎ、安定に検体の検出を行う。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

励起光源と、前記励起光源からの励起光照射によって検体から発生するラマン散乱を増強するラマン散乱増強用チップと、前記ラマン散乱増強用チップによって増強されたラマン散乱光を検出する検出器とを備える分子センシング装置において、前記ラマン散乱増強用チップは、貴金属酸化物を含有する薄膜と、その上に形成された誘電体材料薄膜又は半導体材料薄膜とを有することを特徴とする分子センシング装置。

IPC (1)：

G01N 21/65

FI (1)：

G01N21/65

F-Term (11)：

2G043AA01 , 2G043EA03 , 2G043GA07 , 2G043GB01 , 2G043HA01 , 2G043HA02 , 2G043HA09 , 2G043KA02 , 2G043KA09 , 2G043LA01 , 2G043NA13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

分子センサおよびラマン分光分析法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-073181 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, ティーディーケイ株式会社, シャープ株式会社, 富永淳二, 桑原正史
表面プラズモン励起性貴金属微粒子状薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-174414 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
特表平4-506999

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