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J-GLOBAL ID：200903075572789646
埋め込み平坦化工程を備えた半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991055875
Publication number (International publication number)：1994216236
Application date： Feb. 27, 1991
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：
【要約】本発明は、エッチングと堆積とを同時進行的に行う堆積手段により埋め込み平坦化を行う工程を含む半導体装置の製造方法において、埋め込み後、エッチング特性の異なる膜を形成してから、水平面にわずかに堆積が進行する条件で平坦化を行うことにより、その後エッチバックを行っても被埋め込み材が該エッチング特性の異なる膜により保護されるようにし、これによりエッチング時のばらつきの影響等を受けることなく、良好な埋め込み平坦化を達成したものである。
Claim (excerpt)：
エッチングと堆積とを同時進行的に行う堆積手段により埋め込み平坦化を行う工程を含む半導体装置の製造方法において、埋め込み後、エッチング特性の異なる膜を形成してから、水平面にわずかに堆積が進行する条件で平坦化を行うことを特徴とする埋め込み平坦化工程を備えた半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
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