Pat

J-GLOBAL ID：200903075600738459

Al合金薄膜およびAl合金スパッタリングターゲット

Inventor： 福世 秀秋 ,  畠下 明
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 倉内 基弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997293208
Publication number (International publication number)：1998183337
Application date： Oct. 13, 1997
Publication date： Jul. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 平面型ディスプレイ回路用として用いるための、低比抵抗で高い耐ヒロック特性を有し、現像液に対する耐腐食性に優れ、なおかつスプラッツの発生が少ないAl合金薄膜及びAl合金薄膜形成用のスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 平面型ディスプレイ回路用のAl合金薄膜及びAl合金スパッタリングターゲットにおいて、合金組成をM(M:Mo、Cr、W、V、Nb、Ta、Ti、ZrまたはHfから選択された1種以上の元素):合計0.2〜2at%、B:0.1〜2at%、残部Al及び不可避的不純物からなるものとする。

Claim (excerpt)：

平面型ディスプレイ回路用のAl合金薄膜において、合金組成が、M(MはMo、Cr、W、V、Nb、Ta、Ti、ZrまたはHfから選択された1種以上の元素):合計で0.2〜2at%、B:0.1〜2at%、残部Alおよび不可避的不純物からなることを特徴とするAl合金薄膜。

IPC (5)：

C23C 14/14 ,  C22C 21/00 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (5)：

C23C 14/14 B ,  C22C 21/00 N ,  C23C 14/34 A ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 L