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J-GLOBAL ID：200903075602151684
光半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992166495
Publication number (International publication number)：1994013702
Application date： Jun. 25, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 金属放熱体に重ねるサブマウントを介してマウントするLD素子において、サブマウント厚さを最適化して、LD素子に加わるストレスの最大値を限定するマウント構造を提供する点。【構成】 サブマウントの厚さと単一縦モード発振歩留りの関係を調査したところ、サブマウントの厚さがある値を越えると単一縦モード発振歩留りが臨界的に改善される事実を見出だし、またこれを基にLD素子に加わるストレスの最大値を把握できたことにより本発明を完成した。
Claim (excerpt)：
金属放熱体に固着するサブマウントと,このサブマウントを介して取付けるInPを基板材料とする分布帰還型もしくは分布反射型半導体レーザダイオード素子とを具備し,前記半導体レーザダイオード素子に加わるストレス値が1×109 ダイン以下になるように前記サブマウントの厚さを選定することを特徴とする光半導体装置
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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