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J-GLOBAL ID：200903075603906816

蛍光強度増強チップ

Inventor： 秋元 卓央 ,  田名網 健雄 ,  池袋 一典 ,  矢野 和義 ,  ▲軽▼部 征夫
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社 ,  株式会社 先端科学技術インキュベーションセンター
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002033813
Publication number (International publication number)：2002340802
Application date： Feb. 12, 2002
Publication date： Nov. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】誘電体としてより安価で汎用性が高く耐食性にも優れたSiO2を用いることにより、安価で汎用性に富み耐食性にも優れた蛍光強度増強チップを実現する。【解決手段】ガラス基板上に金属と誘電体と蛍光物質を重ね、光励起された蛍光物質から発生する蛍光の強度を増強することのできる蛍光強度増強チップにおいて、誘電体として膜厚330nm以下のSiO2を用い、金属としてAgまたはAlをそれぞれ用いる。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上に金属と誘電体と蛍光物質を重ね、光励起された蛍光物質から発生する蛍光の強度を増強することのできる蛍光強度増強チップにおいて、前記誘電体として膜厚330nm以下のSiO2を用い、前記金属としてAgまたはAlをそれぞれ用いたことを特徴とする蛍光強度増強チップ。

F-Term (12)：

2G043AA01 ,  2G043BA16 ,  2G043CA03 ,  2G043DA02 ,  2G043EA01 ,  2G043GA07 ,  2G043GB01 ,  2G043JA03 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043LA01 ,  2G043NA13