Pat

J-GLOBAL ID：200903075613450160

半導体封止用低圧トランスファ成形材料

Inventor： 山縣 誠 ,  松垣 一徳 ,  小野 裕之 ,  中山 紀子
Applicant, Patent owner： 新日鐵化学株式会社
Agent (1)： 佐野 英一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993016738
Publication number (International publication number)：1994200126
Application date： Jan. 06, 1993
Publication date： Jul. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低吸湿性で、はんだ耐熱性の良好な、成形性に優れた半導体封止用低圧トランスファ成形材料を提供することにある。【構成】 (a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤、(d)充填剤を必須成分とし、(d)充填剤中の主成分が溶融シリカで、全組成物中の充填剤量が90重量%以上であり、かつ、175°Cにおける最低溶融粘度が500ポイズ以下である半導体封止用低圧トランスファ成形材料であって、(a)成分の全部ないし一部が、下記式(1)【化1】で表されるジフェニルエーテル骨格を含有するエポキシ樹脂を用いる。

Claim (excerpt)：

(a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤、(d)充填剤を必須成分とし、(d)充填剤中の主成分が溶融シリカで、全組成物中の充填剤量が90重量%以上であり、かつ、175°Cにおける最低溶融粘度が500ポイズ以下であることを特徴とする半導体封止用低圧トランスファ成形材料。

IPC (5)：

C08L 63/00 NKX ,  C08G 59/18 NHQ ,  C08K 3/36 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31