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J-GLOBAL ID：200903075620874995
光電変換装置の製造方法及び該方法により製造された光電変換装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡辺 敬介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999140895
Publication number (International publication number)：2000332270
Application date： May. 21, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 フォドリソグラフィーなどの高コストの工程の使用回数が少なく、Siの消費量も少なくなり、更に基板の再利用が可能な光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】 分離により残存した分離層29を有する半導体基板3に異方性エッチングにより予め凹凸形状を形成し、半導体基板3を陽極化成することによって、半導体基板3上にその凹凸形状を維持した多孔質半導体層29を設け、多孔質半導体層29上に半導体薄膜24〜26を形成し、半導体薄膜24〜26を半導体基板3から多孔質半導体層29で分離する光電変換装置の製造方法。
Claim (excerpt)：
基板に予め凹凸形状を形成し、前記基板上に前記基板の凹凸形状を維持した分離層を設け、前記分離層上に前記凹凸形状を維持した半導体薄膜を成長させ、前記半導体薄膜を前記基板から前記分離層で分離する光電変換装置の製造方法であって、前記基板に凹凸形状を形成するため、分離により残存した分離層を有する基板を異方性エッチングすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
F-Term (4)：
5F051CB11
, 5F051CB21
, 5F051DA01
, 5F051GA14
