埋込型半導体レーザ素子の製造方法、及び埋込型半導体レーザ素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲垣清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001360940
Publication number (International publication number)：2002232082
Application date： Nov. 27, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】 n型基板上に埋込型半導体レーザ素子を作製する際、電流狭窄構造に形状欠陥が生じたり、無効電流経路幅を再現性よく制御することが困難であったりするために、無効電流が増大し、電流電圧特性の線形性が悪かった。そこで、電流狭窄構造の形状欠陥の発生を防止し、無効電流経路幅を再現性良く制御できる、埋込型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 n型基板上に歪量子井戸埋込型半導体レーザを作製する際、無効電流経路幅Tnは、p型電流ブロック層成膜時のIII族元素原料ガスに対するV族元素原料ガスのモル比率により制御され、モル比率は60〜350である。

Claim (excerpt)：

n型半導体基板上に、下部クラッド層、活性層、及び上部クラッド層を有するメサ構造を形成した後、該メサ構造の側面及び該側面と連続しているメサ構造裾部の上面にp型電流ブロック層及びn型電流ブロック層を有機金属気相成長方法により成長させて電流狭窄構造を形成する、埋込型半導体レーザ素子の製造方法において、前記p型電流ブロック層を成膜する際のIII 族元素原料ガスに対するV族元素原料ガスのモル比率が60以上350以下の範囲であることを特徴とする埋込型半導体レーザ素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 5/227 , H01S 5/323

FI (2)：

H01S 5/227 , H01S 5/323

F-Term (8)：

5F073AA22 , 5F073AA26 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073CA12 , 5F073DA05 , 5F073DA35 , 5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-095489 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体装置,及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-062413 Applicant：三菱電機株式会社

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