Pat

J-GLOBAL ID：200903075644265396

評価方法及びシリコンウェハ

Inventor： 漆原 真理子 ,  赤松 潔
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993061594
Publication number (International publication number)：1994275584
Application date： Mar. 22, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】研磨布評価方法と、研磨布の製造方法と、表面粗さ0.3nmRmax以内の平滑なシリコンウェハと、それを得る製造方法とを実現すること。【構成】メカノケミカル加工において、研磨布の評価方法として研磨布のポーラス径と、ポーラス壁厚とによるものを提案し、マイクロラフネスとの相関を得た。そして、フォトリソグラフィ技術により任意形状を有する研磨布を作製し、定盤温度、研磨圧力を最適化することにより表面粗さ0.3nmRmaxのシリコンウェハを得る。

Claim (excerpt)：

半導体素子用シリコンウェハの鏡面研磨において、メカノケミカル加工に用いられる研磨布の、その表面形状であるポーラス(表面の微細な穴)径とポーラス間の壁厚をパラメータにもつ相関係数による評価を特徴とする評価方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/66