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J-GLOBAL ID:200903075654218817

ポジ型レジスト膜形成用塗布液

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 阿形 明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995172899
Publication number (International publication number):1997006001
Application date: Jun. 15, 1995
Publication date: Jan. 10, 1997
Summary:
【要約】【構成】 基本成分として、(A)放射線の照射により酸を発生する成分、(B)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分及び(C)アミン成分を含有する有機溶剤溶液に、(D)有機カルボン酸を添加してなるポジ型レジスト膜形成用塗布液である。【効果】 化学増幅型であって、引置経時安定性の良好なレジストパターンを与えることができる上、高解像性及び高感度を有しており、超LSIの製造における微細加工などに好適に用いられる。
Claim (excerpt):
基本成分として、(A)放射線の照射により酸を発生する成分、(B)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分及び(C)アミン成分を含有する有機溶剤溶液に、(D)有機カルボン酸を添加してなるポジ型レジスト膜形成用塗布液。
IPC (4):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
FI (4):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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