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J-GLOBAL ID：200903075666621323
薄膜光起電力デバイスの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
秋沢 政光 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993264074
Publication number (International publication number)：1994209116
Application date： May. 26, 1986
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：
【要約】【目的】 所望により低温化学蒸着法により酸化亜鉛の層を重ね合わせて薄膜光起電力デバイスを仕上げる。【構成】 二セレン化インジイム銅の第1の層を沈着し、次いでこの第1の層上に低温化学蒸着法により主として酸化亜鉛よりなる第2の層を沈着しデバイスを製造する。
Claim (excerpt)：
二セレン化インジウム銅の第1の層を沈着し、次いでこの第1の層上に低温化学蒸着法により主として酸化亜鉛よりなる第2の層を沈着することを特徴とする薄膜光起電力デバイスの製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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