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J-GLOBAL ID：200903075667349244

半導体発光素子

Inventor：
畑 雅幸

About 畑 雅幸

, 
廣山 良治

About 廣山 良治

, 
庄野 昌幸

About 庄野 昌幸


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995124642
Publication number (International publication number)：1996316585
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：
【要約】【目的】 多重量子井戸構造の活性層への正孔の注入の不均一性が改善された半導体発光素子を提供することである。【構成】 圧縮歪障壁層41および引張り歪井戸層42が交互に積層されてなるMQW活性層4とp-クラッド層8との間に引張り歪を有する引張り歪層5を設けることにより、p-クラッド層8からMQW活性層4の全体に均一に正孔を注入する。
Claim (excerpt)：
複数の井戸層および圧縮歪を有するかまたは歪を有さない複数の障壁層が交互に積層されてなる多重量子井戸構造の活性層をn型クラッド層およびp型クラッド層の間に配置してなる半導体発光素子において、前記p型クラッド層と前記活性層との間に、前記p型クラッド層よりも小さいバンドギャップを有しかつ引張り歪を有する引張り歪層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (16)
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