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J-GLOBAL ID：200903075679543526

ピエゾ抵抗変化検出方式センサ、モジュール、振動検出機能付き機器、ボイラの物理量検出装置、気体用物理量検出装置及び異常状態検出装置

Inventor： 坂田 稔 ,  川畑 達央
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993136632
Publication number (International publication number)：1994324074
Application date： May. 13, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ?@高感度、高分解能で、かつ、検出範囲が広く、しかも?A150°C以上の使用温度限界を持つ、ピエゾ抵抗変化検出センサを提供する。【構成】 センサ可動部3を、梁4によってSi基板1に支持する。梁4の表層には、バルクSiからなるピエゾ抵抗5が形成される。センサ可動部3及び梁4とSi基板1との間は、空気からなる誘電分離層6が形成され、Si基板1の梁4を支持する領域は、SiO2膜からなる誘電分離層7が形成されている。この誘電分離層7は、イオン注入によってSi基板1にp+領域11を形成した後、HF水溶液中にで電流を流すことにより、p+領域11を多孔質Si領域16A及び高密度多孔質Si領域17Aに変化させ、ついで両領域16A,17Aを熱酸化させてSiO2領域16B及び高密度SiO2領域17Bに変化させ、SiO2領域16Aをエッチング除去することにより形成される。

Claim (excerpt)：

基板に支持されたセンサ可動部の変位をピエゾ抵抗によって検出するピエゾ抵抗変化検出方式センサにおいて、バルクシリコンからなる前記ピエゾ抵抗と前記基板とを、多孔質シリコンを熱酸化させて形成した酸化膜によって誘電分離したことを特徴とするピエゾ抵抗変化検出方式センサ。