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J-GLOBAL ID：200903075686462736

ドライエッチング方法

Inventor： 柳田 敏治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992097914
Publication number (International publication number)：1993299388
Application date： Apr. 17, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 CFC(クロロフルオロカーボン)ガスを使用せずに、W-ポリサイド膜の高選択, 異方性エッチングを行う。【構成】 W-ポリサイド膜5をCOF2 (フッ化カルボニル)/HBr混合ガスを用いてエッチングする。このとき、レジスト・マスク6の分解生成物に由来して形成される炭素系ポリマーCBrx には、カルボニル基(>C=O)の導入により強い化学結合と静電吸着力が付与されるので、強固な側壁保護膜7を形成できる。したがって、異方性加工に必要な入射イオン・エネルギーと炭素系ポリマーの堆積量が低減でき、レジスト・マスク6やゲート酸化膜2に対する選択性が向上する他、パーティクル汚染が抑制できる。ガスにS2 Br2 を添加してS(イオウ)の堆積を併用すれば更なる高選択化が、またWSix 層4のエッチング時にSF6 等を併用すれば高速化が実現する。

Claim (excerpt)：

シリコン系材料層と高融点金属シリサイド層とがこの順に積層されたポリサイド膜をエッチングするドライエッチング方法において、分子内にカルボニル基とハロゲン原子とを有するハロゲン化合物を含むエッチング・ガスを用いて前記ポリサイド膜をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。