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J-GLOBAL ID：200903075687521272

多層構造

Inventor： リアン-スン フン
Applicant, Patent owner： イーストマン コダック カンパニー
Agent (1)： 伊東 忠彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993312318
Publication number (International publication number)：1994236988
Application date： Dec. 13, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】 金属層が良好な付着及び酸化に対する高耐性を有する、エピタキシャル金属膜、中間層、及び半導体基板を有する構造を準備することが目的である。【構成】 順に、方位を有する単一結晶基板、エピタキシャルバッファ層、エピタキシャル金属電極、及び金属電極上に配置されたエピタキシャル金属酸化物上層よりなる多層構造。基板は珪素化合物と、ゲルマニウム化合物と、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムよりなる群から選択された少なくとも一つの元素及び窒素、燐、砒素、及びアンチモンよりなる群から選択された少なくとも一つの元素を有する化合物とよりなる群から選択された半導体である。

Claim (excerpt)：

ドープ又はアンドープされ、珪素化合物と、ゲルマニウム化合物と、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムよりなる群から選択された少なくとも一つの元素及び窒素、燐、砒素、及びアンチモンよりなる群から選択された少なくとも一つの元素を有する化合物とよりなる群から選択された半導体である方位を有する単一結晶基板と、エピタキシャルバッファ層と、エピタキシャル金属電極と、該金属電極上にデポジットされたエピタキシャル金属酸化物上層とよりなる多層構造。

IPC (3)：

H01L 29/46 ,  G02B 6/12 ,  H01S 3/18