III族窒化物半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福田武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998154116
Publication number (International publication number)：1999346001
Application date： Jun. 03, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】 III 族窒化物半導体発光素子において、基板に立方晶のSi基板を用いることによる効果を充分に発揮させることができるようにする。【解決手段】この発明のIII 族窒化物半導体発光素子10は、導電性の珪素単結晶基板1上に緩衝層2を介しIII 族窒化物半導体からなる発光部3を積層して構成したIII 族窒化物半導体発光素子であって、緩衝層2を、III 族元素とV族元素との構成割合を1対1とするBP系III -V族化合物半導体結晶21を主体晶とし、硼素元素とリン元素との構成割合を6対1以上とする硼素多原子リン化硼素結晶(B<SB>x</SB>P<SB>Y</SB>:X≧6、0<Y≦2)22を従属晶として形成した、ことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

導電性の珪素単結晶基板上に緩衝層を介しIII 族窒化物半導体からなる発光部を積層して構成したIII 族窒化物半導体発光素子において、上記緩衝層を、III 族元素とV族元素との構成割合を1対1とするBP系III-V族化合物半導体結晶を主体晶とし、硼素元素とリン元素との構成割合を6対1以上とする硼素多原子リン化硼素結晶(B<SB>x</SB>P<SB>Y</SB>:X≧6、0<Y≦2)を従属晶として形成した、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-062812 Applicant：株式会社東芝
特開平2-275682
特開平2-288388

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