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J-GLOBAL ID：200903075695479528

LiNbO3配向性薄膜形成方法

Inventor： 赤澤 方省 ,  嶋田 勝
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 道夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003037803
Publication number (International publication number)：2004244703
Application date： Feb. 17, 2003
Publication date： Sep. 02, 2004
Summary：

【課題】十分な結晶性と配向性とを有するLiNbO3薄膜を、石英基板上またはSiO2膜上に形成することができるLiNbO3配向性薄膜形成方法を提供する。【解決手段】定組成のLiNbO3ターゲットを用いた電子サイクロトロン共鳴スパッタリング法によるLiNbO3配向性薄膜形成方法において、石英基板もしくはSiO2膜1の温度が430°C以上490°C以下の状態で酸素ガスを供給して、石英基板もしくはSiO2膜1上にLiNbO3薄膜2を形成する。また、酸素ガスの供給は、LiNb3O8相が生ずるよりも低く、かつ、LiNbO3ターゲット表面を一定量の酸素原子が覆った状態を保つのに十分な流量にする。これによって、SiO2膜1または石英基板上では非常に限られた成膜条件の範囲で、LiNbO3の配向性膜を得ることができ、光学的薄膜としての利用に適した配向性結晶薄膜を得ることができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

定組成のLiNbO3ターゲットを用いた電子サイクロトロン共鳴スパッタリング法によるLiNbO3配向性薄膜形成方法において、 石英基板もしくはSiO2膜(1)の温度が430°C以上490°C以下の状態で酸素ガスを供給して、前記石英基板もしくは前記SiO2膜(1)上にLiNbO3薄膜(2)を形成することを特徴とするLiNbO3配向性薄膜形成方法。

IPC (4)：

C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G02B1/10 ,  G02B6/13

FI (4)：

C23C14/08 K ,  C23C14/34 R ,  G02B1/10 Z ,  G02B6/12 M

F-Term (17)：

2H047KA02 ,  2H047PA04 ,  2H047QA02 ,  2H047QA03 ,  2H047QA04 ,  2K009BB04 ,  2K009CC12 ,  2K009DD04 ,  4K029AA08 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC48 ,  4K029EA08