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J-GLOBAL ID：200903075696814061
成膜装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992134961
Publication number (International publication number)：1993335239
Application date： May. 27, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：
【要約】【目的】 装置を大形化して設置面積の増大を招くことなく、大形の基板に対しても膜厚の面内均一性の高い良好な成膜処理を行うことのできる成膜装置を提供する。【構成】 ターンテーブル10を回転させ、ランプ9によって半導体ウエハ3を均一に加熱しつつ、開閉弁26を順次開閉することにより、ガス供給部21を切り替えて順次半導体ウエハ3の各部に成膜用ガスを供給し、半導体ウエハ3全面に均一にCVD膜を形成する。
Claim (excerpt)：
処理チャンバ内に設けた基板に所定のガスを供給して成膜を行う成膜装置において、前記基板に対向する如く配置されガス供給口から該基板面に前記ガスを供給する複数のガス供給部を有し、これらのガス供給部から順次切り替えて所定量ずつ前記ガスを供給するガス供給機構を設けたことを特徴とする成膜装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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