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J-GLOBAL ID：200903075709756600

半導体レ-ザダイオ-ドおよび製造方法

Inventor： 三橋 豊 ,  田中 利夫 ,  花巻 吉彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998370675
Publication number (International publication number)：2000196190
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 発振横モードの安定性がよくかつ信頼性が高くしかも簡単な構造で歩留まり良く製造できる半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】 半導体基板上に、p型クラッド層とn型クラッド層の間に位置する量子井戸構造の活性層を含んでなり、共振方向に長手方向が一致するように形成されたメサ部を備えた半導体レーザダイオードであって、活性層のうちのメサ部の両側面近傍が無秩序化され、かつp型クラッド層及びn型クラッド層のうちのメサ部の両側面近傍が高抵抗化されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、p型クラッド層とn型クラッド層の間に位置する量子井戸構造の活性層を含んでなり、共振方向に長手方向が一致するように形成されたメサ部を備えた半導体レーザダイオードであって、上記活性層のうちの上記メサ部の両側面近傍が無秩序化され、かつ上記p型クラッド層及びn型クラッド層のうちの上記メサ部の両側面近傍が高抵抗化されていることを特徴とする半導体レーザダイオード。

F-Term (11)：

5F073AA74 ,  5F073BA02 ,  5F073BA06 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CA15 ,  5F073DA15 ,  5F073DA16 ,  5F073EA16 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28