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J-GLOBAL ID：200903075713453442

金属皮膜形成方法

Inventor： 深津 香
Applicant, Patent owner： 東洋理工株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998044162
Publication number (International publication number)：1999200060
Application date： Jan. 20, 1998
Publication date： Jul. 27, 1999
Summary：

【要約】【目的】エンジニアリングプラスチック等の化学的金属皮膜形成工程でよく用いられる表面調整の工程を通っても、治具及びマスキングへの金属皮膜の形成を抑えることにより、化学的金属皮膜形成をした不導体の付け替えを必要としない金属皮膜形成方法を提供することにある。【構成】表面調整により中性化された不導体及び治具表面に触媒付与工程で触媒が吸着するが、酸化剤又は還元剤を含む触媒除去工程を経ることにより、治具表面に吸着した触媒を除去又は不活性化する。治具に吸着した触媒が除去又は不活性化されるので、化学的な金属皮膜形成方法では、治具表面への金属皮膜形成が起こらない。

Claim (excerpt)：

不導体に金属皮膜を形成するための金属皮膜形成方法において、前記金属皮膜形成方法内の触媒付与工程以降かつ金属皮膜形成工程以前に、前記触媒に対する酸化剤又は、還元剤を含む触媒除去又は触媒不活性化工程を有し、前記不導体を保持する治具又は、前記不導体を部分めっきするために塗布されたマスキング又はレジストへの金属皮膜の形成を抑えることのできる金属皮膜形成方法

IPC (3)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/36

FI (3)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/31 F ,  C23C 18/36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-120589
  
• 特開昭59-129766
  
• 特開昭52-032829
  
• 特開昭51-109226