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J-GLOBAL ID：200903075727477255

ヘテロスピロ化合物およびそれらのエレクトロルミネセンス物質としての使用

Inventor： クロイダー,ヴィリ ,  ルポ,ドナルト ,  ザルベック,ヨーゼフ ,  シェンク,ヘルマン ,  シュテーリン,トマス
Applicant, Patent owner： ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996518147
Publication number (International publication number)：1998509996
Application date： Nov. 22, 1995
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】本発明は、式(I):[式中、Ψは、炭素を除外した周期律表の第4主要族の元素、好ましくは、Sn、GeまたはSi、特に好ましくは、GeまたはSiであり;K1およびK2は、相互に独立に、共役系である。]で表されるヘテロスピロ化合物のエレクトロルミネセンス装置における使用に係る。式(I)で表される化合物は、慣用的な有機溶剤に良好な溶解性を有し、フィルム形成性が改良され、結晶しやすさが著しく低下する。

Claim (excerpt)：

式(I): [式中、Ψは、炭素を除外した周期律表の第4主族の元素であり; K1およびK2は、相互に独立に、共役系である。]で表されるヘテロスピロ化合物のエレクトロルミネセンス装置における使用。

IPC (3)：

C09K 11/06 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22

FI (3)：

C09K 11/06 Z ,  H05B 33/14 B ,  H05B 33/22 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ヘテロースピロ原子を含む共役ポリマー、およびそれらのエレクトロルミネセンス材料としての使用
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-517857   Applicant：ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
• 芯垂直配列型半導体重合体合成用化合物及びその化合物の合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-046844   Applicant：ユニバーシティーオブサウスカロライナ
• 特許第3670707号
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• Organometallics, Vol.8, No.8, pp1885-93, 1989
• Zhurnal Obshchei Khimii, Vol.48, No.3, pp636-9, 1978
• Chemische Berichte, Vol.93, No.8, pp1759-68, 1960