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J-GLOBAL ID：200903075759131555

薄膜トランジスタ

Inventor： 浅井 市郎 ,  加藤 典司 ,  山田 高幸
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 阪本 清孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992350250
Publication number (International publication number)：1994177386
Application date： Dec. 04, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 poly-SiTFTの作製プロセスにおいてTFT部分に悪影響を与えずに、TFTの放熱効率を増加させることが可能な薄膜トランジスタを得る。【構成】 絶縁性(ガラス)基板11上に形成されたポリシリコン薄膜を動作層14として用いる薄膜トランジスタ(poly-SiTFT)において、poly-SiTFTの作製プロセスでTFT部分に悪影響を与えないようにするため、TFT形成後に放熱層30(44)を積層する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上または絶縁膜上に形成されたポリシリコン薄膜を動作層として用いる薄膜トランジスタ(poly-SiTFT)において、TFT形成後に積層される放熱層を具備することを特徴とする薄膜トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-133036
  
• 特開平3-295267