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J-GLOBAL ID：200903075759518379
化合物半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995171162
Publication number (International publication number)：1996083814
Application date： Jul. 06, 1995
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ゲート・ドレイン耐圧を向上させることが可能であるとともに安価な化合物半導体電界効果トランジスタ及びその製造を可能にする。【構成】 本発明は半絶縁性化合物半導体基板1表面に不純物をイオン注入することによってチヤネル層3を形成する工程と、チヤネル層の表面の結晶欠陥を除去するための第1の熱処理を行う工程と、チヤネル層を被う領域上にエピタキシャル法を用いて化合物半導体エピタキシャル層を形成する工程と、チヤネル層の真上のエピタキシャル層上の領域内にゲート電極を形成する工程と、基板にソース領域10aおよびドレイン領域10bを形成する工程と、を備えていることによりチャネル層とエピタキシャル層の界面における、チャネル層を形成する不純物の濃度は、チャネル層中の最も高い不純物濃度の45%以下となる。これによりチャネル層とエピタキシャル層の間に良好な界面を得ることが可能となり、質の高いエピタキシャル層を有するトランジスタを得ることができる。
Claim (excerpt)：
半絶縁性化合物半導体基板表面にイオン注入することにより形成されるチャネル層と、このチャネル層を被う領域上にエピタキシャル法により形成される化合物半導体エピタキシャル層と、前記チャネル層の真上の前記エピタキシャル層上の領域内に形成されるゲート電極と、前記基板に形成されるソースおよびドレイン領域と、このソースおよびドレイン領域上に形成されるソースおよびドレイン電極とを備え、前記化合物半導体エピタキシャル層の前記チャネル層との界面における、前記チャネル層を形成する不純物濃度は前記チャネル層中の最も高い不純物濃度の45%以下であることを特徴とする化合物半導体電界効果トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/265
H01L 29/80 B
, H01L 21/265 A
