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J-GLOBAL ID：200903075762466576

n型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法

Inventor： 三谷 清 ,  斎須 重徳 ,  角谷 宏 ,  片山 正健
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993199009
Publication number (International publication number)：1995037953
Application date： Jul. 16, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 抵抗率の経時変化が生じるn型エピタキシャル層の真の抵抗率を、四探針法により簡便・的確に測定できるようにする。【構成】 エピタキシャル成長後、抵抗率の経時変化が生じたシリコンウエーハを、濃度5重量%以下のHF水溶液に1分間浸漬した後、純水によるリンスおよび乾燥を行った後、常温・湿度50%RH以下の雰囲気下に保管する。保管後、通常の温湿度条件下で速やかに四探針法によりシート抵抗Rを測定する。エピタキシャル層の膜厚tは、FTIRまたはSR法で測定する。エピタキシャル層の真の抵抗率ρを、ρ=aRt(aは定数でπ/ln2)により算出する。実験で得られた抵抗率はC-V法による測定値とほぼ一致した。前記HF処理により自然酸化膜が除去されると共に、エピタキシャル層表面が水素終端処理され、前記のように保管することで抵抗率の経時変化を防止することができる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に成長させたn型エピタキシャル層の抵抗率を測定する方法において、n型エピタキシャル層の表面を水素終端させた後、該水素終端状態に維持して四探針法によりシート抵抗を測定することを特徴とするn型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/04 ,  G01R 27/02