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J-GLOBAL ID：200903075766264978
突起電極の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991290167
Publication number (International publication number)：1993129308
Application date： Nov. 06, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高さや形状が一定に揃った突起電極を狭ピッチにおいても確実に形成できる突起電極の形成方法を提供することにある。【構成】 CCD基板10上に、Ti膜15、Au膜16を順に形成する工程と、形成したAu膜16の表面にレジスト膜17を選択的に形成し、突起電極の形成予定領域を露出させる工程と、Au膜16をメッキ電極として電気メッキを施し、各突起電極の形成予定領域に電極材料11 ́を析出させる工程と、析出した電極材料11 ́を、各形成予定領域内において加熱溶融する工程とを備えることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板にメッキ電極用の下地金属膜を形成する工程と、形成した前記下地金属膜の表面にレジスト膜を選択的に形成し、複数の突起電極の形成予定領域を露出させる工程と、前記レジスト膜を形成した前記下地金属膜の表面に電気メッキを施し、前記各突起電極の形成予定領域に突起電極の電極材料を析出させる工程と、前記各突起電極の形成予定領域内に析出した電極材料を、該形成予定領域内において加熱溶融する工程とを備えることを特徴とする突起電極の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/321
, H01L 21/288
, H01L 27/146
H01L 21/92 F
, H01L 27/14 F
