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J-GLOBAL ID：200903075772423344
表面処理方法およびその装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994020870
Publication number (International publication number)：1995230985
Application date： Feb. 18, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体表面に無損傷で、原子オーダー精度の極微細構造を作成するためのエッチング方法を提供する。【構成】 運動エネルギーの低い多価イオンを用いて被エッチング基板をエッチングする。【効果】 下地結晶に対して無損傷、かつマスクなどと高いエッチング選択性のもとに、半導体材料の表面をエッチングすることが可能となる。
Claim (excerpt)：
多価イオンを含むイオンを発生するイオン発生手段と、上記イオン発生手段より発生した多価イオンを所定の価数のイオンに分離する分離手段と、分離した多価イオンを所定の運動エネルギーまで減速する減速手段と、減速した多価イオンを試料台上に載置した試料に照射するイオン照射手段とからなることを特徴とする表面処理装置。
FI (2)：
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 F
