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J-GLOBAL ID：200903075774023408

誘電体薄膜の製造方法及びその装置

Inventor： 林 重徳 ,  飯島 賢二 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992063118
Publication number (International publication number)：1993267570
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 特定のペロブスカイト型複合化合物に対し、酸化物または複合酸化物をターゲットとしてパルスレーザ光を照射して蒸発させ、同じくレーザ光を照射した基板上に被膜を堆積させることにより、ペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜を組成制御性良く低温で合成する。【構成】 主たる堆積機構として、エキシマ・レーザなどのパルスレーザ1をターゲット3に照射することによりレーザ蒸着を用い、アシスト光源6およびアシストイオン源7による、アシストを行いながら、基板4上に誘電体薄膜を堆積させる。

Claim (excerpt)：

ABO3 で構成されるペロブスカイト型複合化合物に対し、AサイトおよびBサイトの元素の酸化物または複合酸化物をターゲットとしてパルスレーザ光を照射して蒸発させ、同じくレーザ光を照射した基板上に被膜を堆積させることを特徴とするとする誘電体薄膜の製造方法。(ここで、Aサイトは、Pb、Ba、SrまたはLaの少なくとも1種、Bサイトは、TiおよびZrのうち少なくとも1種の元素を含む。)

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/28