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J-GLOBAL ID：200903075776861095

半導体レーザ

Inventor： 小林 宏彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994045317
Publication number (International publication number)：1995254753
Application date： Mar. 16, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザに関し、MQBの反射率が電子に対しては略極大に、そして、正孔に対しては略極小になるよう最適化した構造が得られるようにし、その結果、電子のオーバ・フローがなく、従って、発光効率が高く、また、発振しきい値が低い温度特性良好な半導体レーザを容易に実現しようとする。【構成】 p側クラッド層5側、即ち、歪み量子井戸活性層3上に積層配設され障壁層厚さ及び井戸層厚さを適切に選択することで電子に対する障壁高さΔUeが略最大となり且つ正孔に対する障壁高さΔUe が略最小となるようにしたMQB4を備える。

Claim (excerpt)：

p側クラッド層側に配設され障壁層厚さ並びに井戸層厚さを選択して電子に対する量子障壁高さを略最大に且つ正孔に対する量子障壁高さを略最小にした多重量子障壁層を備えてなることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00