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J-GLOBAL ID：200903075777423849

不揮発性半導体メモリ装置

Inventor： 李 昇根 ,  李 東起
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 高月 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996248307
Publication number (International publication number)：1997106685
Application date： Sep. 19, 1996
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 セルストリングの選択トランジスタ数を減少させる。【解決手段】 セルストリングSC1を選択してビットラインに接続し、基準セルストリングRC3を選択してビットラインに接続する場合、セルストリングSC1,SC2がビットラインBL1,BL2に接続され、同時に、基準セルストリングRC3,RC4がビットラインBL3,BL4に接続される。そしてカラム選択トランジスタYT1,YT2により2本のビットラインBL1,BL2中の1本がセンスアンプ11の入力端子に選択接続され、カラム選択トランジスタYT3,YT4により2本のビットラインBL3,BL4中の1本がセンスアンプ11の入力端子に選択接続される。このようにして選択接続された2本のビットライン間の差がセンスアンプで感知される。これにより、セルストリング中の選択トランジスタ数を1ずつ減少させられる。

Claim (excerpt)：

データビットラインと基準ビットラインとの間の電圧差をセンスアンプで感知する不揮発性半導体メモリ装置において、前記センスアンプは、一方の入力端子が多数のセルストリングに接続された多数のデータビットラインから選択したデータビットラインに接続され、他方の入力端子が多数の基準セルストリングに接続された多数の基準ビットラインから選択した基準ビットラインに接続されるようになっていることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-248824   Applicant：日本電気株式会社