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J-GLOBAL ID：200903075791457802
光デバイス
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991098661
Publication number (International publication number)：1994043503
Application date： Apr. 30, 1991
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：
【要約】[目的]焦電効果により生じた電荷を中和し或は導波路で生じた光励起電子を電極より外部回路へ排出させるため導電性を付与したバッファ層を備える光デバイスにおいて光の伝搬ロス及び散乱ロスを低減するためバッファ層の屈折率を低減すること。[構成]LiNbO3或はLiTaO3基板12に形成した導波路14、16上にバッファ層22、24を介して金属電極18、20を設ける。バッファ層22、24は導電性材料例えばSnO2及び低屈折率材料例えばSiO2を同時スパッタにより堆積させて形成した混合物の層である。これら材料の混合比を調整することによって屈折率が低くかつ導電性を有するバッファ層を形成する。例えばSnO230重量%及びSiO270重量%を含むバッファ層ではその屈折率は1.5程度及びその抵抗率は108 〜107 Ωcm程度となる。
Claim (excerpt)：
基板に設けた導波路と該導波路に対して設けた金属電極とこれら導波路及び金属電極間に設けたバッファ層とを備えて成る光デバイスにおいて、前記バッファ層を、導電性材料、及び、前記導波路よりも屈折率の低い低屈折率材料を含む層としたことを特徴とする光デバイス。
IPC (2)：
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