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J-GLOBAL ID：200903075794739361

高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  渡辺 淳 ,  原田 裕次
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000037403
Publication number (International publication number)：2001226432
Application date： Feb. 16, 2000
Publication date： Aug. 21, 2001
Summary：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される、主鎖がフッ素化されたアクリル誘導体を繰り返し単位として含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1,R2,R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1,R2,R3の少なくとも1つはフッ素原子を含む。R4は少なくとも1つの珪素原子を含む珪素含有基である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下特には170nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される、主鎖がフッ素化されたアクリル誘導体を繰り返し単位として含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1,R2,R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1,R2,R3の少なくとも1つはフッ素原子を含む。R4は少なくとも1つの珪素原子を含む珪素含有基である。)

IPC (4)：

C08F 30/08 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027

FI (4)：

C08F 30/08 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (46)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BF07 ,  2H025BF09 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB34 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA41 ,  4J100AL26P ,  4J100AL26Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA72P ,  4J100BA72Q ,  4J100BA80P ,  4J100BA81P ,  4J100BA82P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100BC22Q ,  4J100BC23Q ,  4J100BC51P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC60Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-250888
  
• 特開昭63-095207
  
• ハロゲン含有アクリル系モノマーの重合方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-015348   Applicant：ダイキン工業株式会社
• 特開平3-217845