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J-GLOBAL ID：200903075799989706
バイポーラトランジスタの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996197149
Publication number (International publication number)：1998041321
Application date： Jul. 26, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 エピタキシャル技術によってベース層とエミッタ層とを連続的に形成する際に、第2導電型のエミッタ層はチャンバ内に残留している第1導電型を形成する不純物ガスの影響を受けて見かけ上の不純物濃度が低下する。【解決手段】 エピタキシャル技術によって、半導体基板上に第1導電型のベース層とこのベース層上に第2導電型のエミッタ層とを連続成膜する工程を備えたバイポーラトランジスタの製造方法において、上記ベース層の形成S3を行った後でかつ上記エミッタ層の形成S7を行う前に、ベース層を形成するときに用いた第1導電型を形成するための不純物ガスを除去するように第2導電型を形成するための不純物ガスをエピタキシャル成長雰囲気内に導入して、その雰囲気を第2導電型を形成するための不純物ガスに置換するガスの置換S4を行う。
Claim (excerpt)：
エピタキシャル技術によって、半導体基板上に第1導電型のベース層と該ベース層上に第2導電型のエミッタ層とを連続成膜する工程を備えたバイポーラトランジスタの製造方法において、前記第1導電型のベース層を形成した後でかつ前記第2導電型のエミッタ層を形成する前に、前記第1導電型のベース層を形成するときに用いた不純物ガスを除去するように第2導電型を形成するための不純物ガスをエピタキシャル成長雰囲気内に導入して、該エピタキシャル成長雰囲気を第2導電型を形成するための不純物ガスに置換した後、前記第2導電型のエミッタ層を形成することを特徴とするバイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/205
