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J-GLOBAL ID：200903075824126220

半導体装置の製造装置

Inventor： 川口 美紀子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993218500
Publication number (International publication number)：1995074140
Application date： Sep. 02, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、シリコンウェハ上の不要な膜を高速回転をともなってエッチングするスピンエッチング装置において、エッチングプロセスを安定化できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、シリコンウェハ保持用カップ12に保持されて高速回転されるシリコンウェハSWの裏面の中央部に、その上方より、熱交換器14で約50度に加温されたエッチング液を供給する。同時に、シリコンウェハSWの下方より、熱交換器14で約60度に加温された高圧のN2 ガスを供給する。これにより、シリコンウェハSWの冷却にともなう、シリコンウェハSWの中央部から周辺部にかけてのエッチング液の温度の低下を防止して、シリコンウェハSWの面内におけるエッチングレートの均一化を図る構成となっている。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハ上に形成された膜を除去する半導体装置の製造装置において、前記半導体ウェハを水平に保持しつつ高速回転する回転保持体と、この回転保持体により高速回転される前記半導体ウェハに対し、その一方面より垂直に処理液を供給する処理液供給手段と、前記回転保持体により高速回転される前記半導体ウェハに対し、その他方面より高圧かつ高温のガスを供給するガス供給手段とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭57-052139
  
• 特開昭63-140549