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J-GLOBAL ID：200903075847520910

酸化珪素膜の化学気相成長法

Inventor： 丸山 敏朗
Applicant, Patent owner： 丸山 敏朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993220441
Publication number (International publication number)：1995026383
Application date： Jul. 07, 1993
Publication date： Jan. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】取り扱いやすい原料を用いて、低い基板温度で、酸化珪素の膜を容易に合成し得る新たな化学気相成長法を提供する。【構成】テトラキスジエチルアミノシランをシリコン源として用い、これに酸素源としてオゾンを含む酸素ガスを加えることにより、被処理物表面に酸化珪素の膜を成長させることを特徴とする化学気相成長方法による。

Claim (excerpt)：

テトラキスジエチルアミノシランをシリコン源として用い、シリコン源に酸素源を加えることにより、被処理物表面に酸化珪素の膜を成長させることを特徴とする化学気相成長方法。

IPC (3)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/316