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J-GLOBAL ID：200903075855911669

層状酸化物の結晶成長方法、有機無機複合結晶の形成方法および積層構造体

Inventor： 網 隆明 ,  石田 祐一 ,  長沢 直美 ,  鈴木 真之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000302085
Publication number (International publication number)：2002114593
Application date： Oct. 02, 2000
Publication date： Apr. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】 KTiNbO5 等の層状酸化物を汎用性の高い基板上に高精度で高配向させることができる結晶成長方法、そのような高配向の層状酸化物を用いて有機無機複合結晶を形成する方法およびそのような層状酸化物の積層構造体を提供する。【解決手段】 立方晶系または正方晶系の(001)単結晶基板、特に例えばSrTiO3 等の酸化物単結晶基板上に、斜方晶系の層状酸化物、例えばKTiNbO5 の薄膜を高次エピタキシーにより少なくとも部分的にエピタキシャルに成長させる。成長には有機金属熱分解法またはゾルゲル法を用いる。このようにして得られる高配向の層状酸化物、例えばKTiNbO5 の薄膜に水または酸を作用させることにより結晶水和物を形成し、これにさらに有機イオンを作用させることにより有機無機複合結晶を形成する。

Claim (excerpt)：

立方晶系または正方晶系の(001)面方位の単結晶基板上に斜方晶系の層状酸化物を少なくとも部分的にエピタキシャルに成長させるようにしたことを特徴とする層状酸化物の結晶成長方法。

IPC (5)：

C30B 7/06 ,  C01G 33/00 ,  C30B 29/30 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (5)：

C30B 7/06 ,  C01G 33/00 A ,  C30B 29/30 A ,  H01L 41/18 101 A ,  H01L 41/22 A

F-Term (15)：

4G048AA04 ,  4G048AB02 ,  4G048AC01 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE08 ,  4G077AA03 ,  4G077BC31 ,  4G077CB08 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FE03 ,  4G077FE11 ,  4G077HA11