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J-GLOBAL ID:200903075865192199
半導体集積回路の気密封止パッケージ
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岩佐 義幸
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997108423
Publication number (International publication number):1998303323
Application date: Apr. 25, 1997
Publication date: Nov. 13, 1998
Summary:
【要約】【課題】 特に発振回路を形成する高周波ICを気密封入するパッケージに好適であり、振動対策としてキャップの肉厚を厚くしてヘッダ側との接合面積が増大しても、十分な接着強度を得て所要の気密封止を維持する。【解決手段】 ヘッダ1上に搭載された例えば高周波ICによる発振回路部3をキャップ10で気密封止したものであって、キャップ10を接合するヘッダ1の接合面の内周側と外周側に二重に環状凹溝4,5を設け、この内外周の環状凹溝4,5で囲まれる内側接合部Aのヘッダ1とキャップ10とをろう材6によって溶着する共に、外周側の環状凹溝5よりも外部の外側接合部Bのヘッダ1とキャップ10とをレーザ溶接(符号W)によって溶着している。
Claim (excerpt):
ベース部材のヘッダ上に搭載された半導体集積回路による発振回路部をカバー部材のキャップで気密封止した気密封止パッケージにおいて、前記キャップに接合する前記ヘッダの接合面の内周側と外周側に二重に環状凹溝を設け、この内外周の環状凹溝で囲まれる内側接合部分のヘッダと前記キャップとをろう材によって溶着する共に、外周側の環状凹溝よりも外部の外側接合部分のヘッダと前記キャップとをレーザ溶接によって溶着してなっていることを特徴とする半導体集積回路の気密封止パッケージ。
IPC (2):
FI (2):
H01L 23/02 C
, H01L 23/04 F
Patent cited by the Patent:
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