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J-GLOBAL ID：200903075870635821

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 田中 義幸 ,  岡本 豊 ,  田中 智晴 ,  中村 寛 ,  大平 秀子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992150916
Publication number (International publication number)：1993342891
Application date： Jun. 10, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、不要な書き込み動作の省略ないしは書き換え時間の短縮により高速化を図ることを目的とする。【構成】 メモリ手段1における所定単位のデータ書き込み領域への書き込みデータが全てメモリセルの消去状態を保つデータであるか否かを検知するデータ検知手段9と、前記書き込みデータが全てメモリセルの消去状態を保つデータであることが検知されたとき書き込みモードを終了させる書き込みモード終了手段8とを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

複数のメモリセルで構成された所定単位のデータ書き込み領域を備えたメモリ手段と、前記所定単位の書き込みデータが全て前記メモリセルの消去状態を保つデータであるか否かを検知するデータ検知手段と、該データ検知手段で前記所定単位の書き込みデータが全て前記メモリセルの消去状態を保つデータであることが検知されたとき書き込みモードを終了させる書き込みモード終了手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3)：

G11C 17/00 309 A ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371