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J-GLOBAL ID：200903075871525701

原子層エピタキシャル成長法による成膜方法

Inventor：
佐野 幸浩

About 佐野 幸浩

, 
片山 雅之

About 片山 雅之


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000032809
Publication number (International publication number)：2001220294
Application date： Feb. 04, 2000
Publication date： Aug. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】 ALE法により酸化アルミニウムと酸化チタンとが交互積層された絶縁膜を成膜する成膜方法において、酸化アルミニウムと酸化チタンとが混合せずに分離した層構造を実現する。【解決手段】 酸化チタンの膜厚が小さくなるに連れて、酸化アルミニウムと酸化チタンとが混合しないような基板温度が高くなり、酸化アルミニウムと酸化チタンとが分離した層構造を実現する条件領域R1が高温側へ移動する。この現象を利用して、狙いとする酸化アルミニウム及び酸化チタンの膜厚に基づいて、酸化アルミニウムと酸化チタンとが混合しないような基板温度を設定し、この設定された基板温度にて絶縁膜の成膜を行う。
Claim (excerpt)：
原子層エピタキシャル成長法により酸化アルミニウムと酸化チタンとが交互に積層された絶縁膜を成膜する成膜方法において、酸化アルミニウム及び酸化チタンの膜厚に基づいて、酸化アルミニウムと酸化チタンとが混合しないような成膜温度を設定し、この設定された成膜温度にて前記絶縁膜の成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
IPC (2)：
C30B 29/20 ,  B01J 19/00
FI (2)：
C30B 29/20 ,  B01J 19/00 M
F-Term (14)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA62 ,  4G075AA63 ,  4G075BC05 ,  4G075BD14 ,  4G075CA57 ,  4G075CA63 ,  4G075FC15 ,  4G077AA03 ,  4G077BB01 ,  4G077BB04 ,  4G077DB13 ,  4G077EA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 特開平2-246161
  • 特開昭58-206095
  • EL素子およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-341462   Applicant：株式会社デンソー
Cited by examiner (3)
  • 特開平2-246161
  • 特開昭58-206095
  • EL素子およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-341462   Applicant：株式会社デンソー
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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