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J-GLOBAL ID:200903075893039959
反射防止膜の成膜方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
曾我 道照 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001078626
Publication number (International publication number):2002277605
Application date: Mar. 19, 2001
Publication date: Sep. 25, 2002
Summary:
【要約】【課題】 アンモニアボンベを使用しなくとも、従来と同等のパッシベーション効果が得られると共に、アンモニアボンベ使用に伴うコストやボンベ交換の作業を削減できる反射防止膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 受光面となる基板表面に反射防止膜を成膜する反射防止膜の成膜方法において、反射防止膜として屈折率nがn>2.1であるSiN膜を成膜する際に、SiNを構成する窒素原子の供給原料として窒素のみを使用する。また屈折率nがn>2.1であるSiN膜を成膜する際は、SiNを構成する窒素原子の供給原料として窒素のみを使用し、n≦2.1の成膜の際には、SiNを構成する窒素原子の供給原料として、窒素原子と水素原子を含む化合物からなる原料を使用する。
Claim (excerpt):
受光面となる基板表面に反射防止膜を成膜する反射防止膜の成膜方法において、反射防止膜として屈折率nがn>2.1であるSiN膜を成膜する際に、SiNを構成する窒素原子の供給原料として窒素のみを使用することを特徴とする反射防止膜の成膜方法。
IPC (3):
G02B 1/11
, C23C 16/42
, H01L 31/04
FI (3):
C23C 16/42
, G02B 1/10 A
, H01L 31/04 A
F-Term (19):
2K009AA02
, 2K009CC02
, 2K009CC42
, 2K009DD04
, 2K009DD09
, 4K030AA06
, 4K030AA18
, 4K030BA40
, 4K030JA06
, 4K030LA16
, 5F051AA03
, 5F051CB12
, 5F051CB13
, 5F051CB20
, 5F051CB21
, 5F051DA03
, 5F051FA10
, 5F051HA03
, 5F051HA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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光吸収性反射防止膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-371281
Applicant:旭硝子株式会社
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ドライプレーティング積層膜の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-290050
Applicant:株式会社ブリヂストン
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液晶表示基板及びその製造方法、並びに液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-166979
Applicant:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
-
太陽電池モジュール
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-104222
Applicant:三洋電機株式会社
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レジストパターン形成方法および反射防止膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-169090
Applicant:ソニー株式会社
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特開昭62-149882
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