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J-GLOBAL ID:200903075893039959

反射防止膜の成膜方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 曾我 道照 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001078626
Publication number (International publication number):2002277605
Application date: Mar. 19, 2001
Publication date: Sep. 25, 2002
Summary:
【要約】【課題】 アンモニアボンベを使用しなくとも、従来と同等のパッシベーション効果が得られると共に、アンモニアボンベ使用に伴うコストやボンベ交換の作業を削減できる反射防止膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 受光面となる基板表面に反射防止膜を成膜する反射防止膜の成膜方法において、反射防止膜として屈折率nがn>2.1であるSiN膜を成膜する際に、SiNを構成する窒素原子の供給原料として窒素のみを使用する。また屈折率nがn>2.1であるSiN膜を成膜する際は、SiNを構成する窒素原子の供給原料として窒素のみを使用し、n≦2.1の成膜の際には、SiNを構成する窒素原子の供給原料として、窒素原子と水素原子を含む化合物からなる原料を使用する。
Claim (excerpt):
受光面となる基板表面に反射防止膜を成膜する反射防止膜の成膜方法において、反射防止膜として屈折率nがn>2.1であるSiN膜を成膜する際に、SiNを構成する窒素原子の供給原料として窒素のみを使用することを特徴とする反射防止膜の成膜方法。
IPC (3):
G02B 1/11 ,  C23C 16/42 ,  H01L 31/04
FI (3):
C23C 16/42 ,  G02B 1/10 A ,  H01L 31/04 A
F-Term (19):
2K009AA02 ,  2K009CC02 ,  2K009CC42 ,  2K009DD04 ,  2K009DD09 ,  4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030JA06 ,  4K030LA16 ,  5F051AA03 ,  5F051CB12 ,  5F051CB13 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051FA10 ,  5F051HA03 ,  5F051HA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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